1月16日，安森美(onsemi) 官宣已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET)）技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。

安森美指出，SiC JFET技術(shù)的加入將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求。在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中，用基于SiC JFET的固態(tài)斷路器替代多個(gè)組件，有助于提高能效和安全性。在工業(yè)終端市場(chǎng)，SiC JFET將支持某些儲(chǔ)能拓?fù)浜凸虘B(tài)斷路器應(yīng)用。

安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示，此次收購(gòu)進(jìn)一步加強(qiáng)了安森美在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，我們會(huì)為客戶提供顛覆性和市場(chǎng)領(lǐng)先的技術(shù)，以解決他們?cè)谌斯ぶ悄軘?shù)據(jù)中心、汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)中最緊迫的功率密度和效率提升難題。

2024年12月，安森美宣布，已達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金從Qorvo收購(gòu)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)，包括United Silicon Carbide子公司。該交易受常規(guī)成交條件的約束，預(yù)計(jì)將在2025年第一季度完成。

據(jù)悉，SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來(lái)常用的現(xiàn)成驅(qū)動(dòng)器。綜合這些優(yōu)勢(shì)，SiC JFET的采用能夠加快開(kāi)發(fā)速度，減少能耗并降低系統(tǒng)成本，為電源設(shè)計(jì)人員和數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商提供顯著的價(jià)值。